천문·천체물리
저온 ICPCVD 질화규소의 마이크로파 손실: 전구체 비율과 RF 기판 바이어스 의존성
초전도 검출기 회로용으로 150°C에서 ICPCVD 방식으로 증착한 질화규소(SiNx) 박막의 유전 손실을 측정한 연구다. 연구진은 초전도 니오븀 마이크로스트립 공진기를 이용해 약 4~7GHz에서 손실 탄젠트를 측정하고, 온도에 따른 공진 주파수를 2준위계(TLS) 모델에 맞춰 손실을 추출했다. N2/SiH4 전구체 유량 비율을 낮출수록 손실이 감소하는 경향이 뚜렷하게 나타났으며, 증착 중 RF 기판 바이어스를 가하면 바이어스를 주지 않은 박막보다 손실이 줄어들었다. 저자들은 전구체 비율과 기판 바이어스가 저온 SiNx 공정을 개선할 실용적인 변수라고 밝혔다.
arXiv astro-ph.IM (관측기기)